负性光刻胶 光致抗蚀剂 半导体配套材料DOW BCB4024-40

AR-P 6510 AR-P 6510是在PMMA的基础上开发的厚胶。 另外，厂商可以根据客户的具体需求来生产其他分子量的LIGA工艺用胶。主要用于LIGA工艺和X-Ray 曝光工艺。此类光刻胶型号齐全，厚度从10~250μm不等，图形剖面陡直。 
负胶
 AR-N 7520AR-N 7500 电子束负胶，高分辨率（30nm），对比度高（> 5），良好的耐等离子刻蚀性能，可以用于混合曝光。灵敏度中等，介于AR-N 7700和PMMA之间。 
AR-N 7700 电子束负胶，化学放大胶，高灵敏度，高对比度，良好的耐等离子刻蚀刻蚀性能，可以用于混合曝光。 
AR-N 7720 电子束负胶，用于三维曝光工艺。 化学放大胶，高灵敏度，对比度非常小（<1），非常适合制作三维结构；也可以用于衍射光学及全息器件的加工。 
X AR-N 7700/30SX AR-N 7700/37 化学放大负胶，高分辨率，良好的耐等离子刻蚀能力，适合混合曝光。高灵敏度，灵敏度比AR-N 7700更高。 

配套试剂
（Process chemicals）

类型型号特性
显影液 AR 300-26, -35 紫外光刻胶用 显影液 
AR 300-44,-46,-47, -475 紫外/电子束光刻胶用 显影液 
AR 600-50,-51,-55,-56 PMMA胶用 显影液 
定影液 AR 600-60,-61 电子束光刻胶用 定影液 
除胶剂 AR 300-70, -72, -73,600-70 紫外/电子束光刻胶用 除胶剂 
稀释剂 AR 600-01…09 PMMA胶 稀释剂 
AR 300-12 紫外/电子束光刻胶用 稀释剂 
增附剂 AR 300-80, HMDS 紫外/电子束光刻胶用 增附剂 

SX AR-P 6200NEW! 超高分辨率电子束正胶，通过简单的工艺即可得到10nm甚至更小的结构。超高深宽比（20:1）、超高对比度（>15）。良好的耐干法刻蚀性能，是传统PMMA胶的2倍。可替代ZEP胶，经济实惠，并且采购简单，包装规格多样化。 
AR-P617PMMA/MA共聚物 适合目前各种应用需要的电子束光刻胶。灵敏度高，是普通PMMA胶的3~ 4倍，对比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通过双层工艺实现lift-off工艺。 
PMMA PMMA（polymethyl methacrylate）是电子束曝光工艺中常用的正性光刻胶，是由单体甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）经聚合反应而成。PMMA胶主要的特点是高分辨率、高对比度、低灵敏度。PMMA胶种类齐全，不同的系列中包含了各种分子量（50K, 200K, 600K, 950K），各种溶剂（氯苯，乳酸乙酯，苯甲醚）以及各种固含量的PMMA胶，以满足各类电子束光刻的工艺要求。PMMA胶可用于单层或双层电子束曝光、转移碳纳米管或石墨烯、绝缘层等多种工艺。（注：工厂可根据用户的需求，定
品质保障
质量过硬
发货周期
现货速发
*小包装量
1
香型
无味
货源
充足
特色服务
技术支持
包装
瓶装
厚度范围
0.1~200UM
加工定制
是
工艺
精湛
产品类型
半导体材料
性质
负性