DOW 负性光敏光刻胶 负性光敏节点材料BCB4024-40

AR-P 6510 AR-P 6510是在PMMA的基础上开发的厚胶。 另外，厂商可以根据客户的具体需求来生产其他分子量的LIGA工艺用胶。主要用于LIGA工艺和X-Ray 曝光工艺。此类光刻胶型号齐全，厚度从10~250μm不等，图形剖面陡直。 
负胶
 AR-N 7520AR-N 7500 电子束负胶，高分辨率（30nm），对比度高（> 5），良好的耐等离子刻蚀性能，可以用于混合曝光。灵敏度中等，介于AR-N 7700和PMMA之间。 
AR-N 7700 电子束负胶，化学放大胶，高灵敏度，高对比度，良好的耐等离子刻蚀刻蚀性能，可以用于混合曝光。 
AR-N 7720 电子束负胶，用于三维曝光工艺。 化学放大胶，高灵敏度，对比度非常小（<1），非常适合制作三维结构；也可以用于衍射光学及全息器件的加工。 
X AR-N 7700/30SX AR-N 7700/37 化学放大负胶，高分辨率，良好的耐等离子刻蚀能力，适合混合曝光。高灵敏度，灵敏度比AR-N 7700更高。 

配套试剂
（Process chemicals）

类型型号特性
显影液 AR 300-26, -35 紫外光刻胶用 显影液 
AR 300-44,-46,-47, -475 紫外/电子束光刻胶用 显影液 
AR 600-50,-51,-55,-56 PMMA胶用 显影液 
定影液 AR 600-60,-61 电子束光刻胶用 定影液 
除胶剂 AR 300-70, -72, -73,600-70 紫外/电子束光刻胶用 除胶剂 
稀释剂 AR 600-01…09 PMMA胶 稀释剂 
AR 300-12 紫外/电子束光刻胶用 稀释剂 
增附剂 AR 300-80, HMDS 紫外/电子束光刻胶用 增附剂 

特点
耐高温
产品类型
半导体材料
品名
光刻胶
加工定制
是
应用领域
显示器件 半导体
使用场景
作为介质层或钝化层广泛应用在IC、MEMS、光电等领域
货源
充足
特色服务
技术支持
性质
负性
用途范围
低介电常数和低介电损耗的介电材料
厚度范围
0.1~200UM
包装
瓶装
香型
无味