光刻胶薄膜制备电磁干扰屏蔽涂层性能稳定su-8 2000系列

AR-P 6510 AR-P 6510是在PMMA的基础上开发的厚胶。 另外，厂商可以根据客户的具体需求来生产其他分子量的LIGA工艺用胶。主要用于LIGA工艺和X-Ray 曝光工艺。此类光刻胶型号齐全，厚度从10~250μm不等，图形剖面陡直。 
负胶
 AR-N 7520AR-N 7500 电子束负胶，高分辨率（30nm），对比度高（> 5），良好的耐等离子刻蚀性能，可以用于混合曝光。灵敏度中等，介于AR-N 7700和PMMA之间。 
AR-N 7700 电子束负胶，化学放大胶，高灵敏度，高对比度，良好的耐等离子刻蚀刻蚀性能，可以用于混合曝光。 
AR-N 7720 电子束负胶，用于三维曝光工艺。 化学放大胶，高灵敏度，对比度非常小（<1），非常适合制作三维结构；也可以用于衍射光学及全息器件的加工。 
X AR-N 7700/30SX AR-N 7700/37 化学放大负胶，高分辨率，良好的耐等离子刻蚀能力，适合混合曝光。高灵敏度，灵敏度比AR-N 7700更高。 

配套试剂
（Process chemicals）

类型型号特性
显影液 AR 300
是否支持加工定制
是
材质
液体
品名
光刻胶
特点
具有高深宽比，光刻后可以达到非常好的陡直度，基本垂 直于衬底表面。
价格
透明
单位
ml
货源
充足
服务

发货周期
现货-26, -35 紫外光