硅外延片AZ DX5200P

AZ5214E、AZ5218E和AZ5200NJ
6、AZ MIR-700 系列中高解像度I线正型光刻胶：AZ MIR-701和AZ MIR-703
7、AZ MIR900 系列厚膜高解像度高感光度I线正型光刻胶：AZ MIR-900和AZ MIR-950
8、AZ DX3200P 系列应用于通孔图形的KrF正型光刻胶：AZ DX3200P
9、AZ DX5200P 系列应用于沟槽及通孔图形的超高分辨率KrF正型光刻胶：AZ DX2546P和AZ DX5200P
10、AZ P4000 系列超厚膜高感光度G线标准正型光刻胶AZ P4210 、AZ P4330、AZ P4400、AZ P4620 和AZ P4903
11、AZ 10XT 系列光刻胶应用于电镀工艺的超厚膜，高分辨率I线正型光刻胶：AZ 10XT(220cP)和10XT(520cP)
12、AZ PLP 系列应用于高精度电镀工艺的超厚膜正型光刻胶：AZ PLP-30和AZ PLP-40
13、AZ 顶部防反射涂层材料应用于超高分辨率图形加工的顶部防反射涂层：AZ AQUATAR 、AZ AQUATAR-45 、AZ AQUATAR-Ⅲ-45和 AZ AQUATAR-Ⅵ

• 硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术，它是在一定的条件下，在硅单晶的衬底片上，沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型，电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。

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• 二、硅外延生长工艺的优点

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  1、 生长温度比它本身的熔点要低

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• 2、 可以获得纯度高、缺陷少的单晶薄层

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• 3、 由于掺杂工艺灵活，可以获得多种结构的单晶或多层外延便于器件参数结构的调整

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• 三、硅外延工艺的分类
   

• 1、 按结构分类 同质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料相同，

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• 例如N/N+，P/P+异质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料不同，例：SOI(绝缘衬底上外延)

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• 2、 按外延层的厚度和电阻率分类 

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• 厚度和电阻率均可按客户要求精确控制

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• 3、 按外延生长方法分类

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• 直接法——不经过中间化学反应，硅原子直接从源转移到衬底片上形成外延层，例：真空溅射法，分子束外延（物理法）液相外延等等

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• 间接法——通过还原或分解硅化合物得到所需要的硅原子，然后在衬底上淀积形成外延层，我们的硅外延就属于间接生长工艺

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• 四、硅外延的基本原理