• SU-82000系列

    详细信息

     型号:2000系列    
    线I线通用正型光刻胶:AZ GXR-601
    5、AZ 5200E 系列应用于Lift-off工艺图形反转正/负可转换型光刻胶:AZ5206E、AZ5214E、AZ5218E和AZ5200NJ
    6、AZ MIR-700 系列中高解像度I线正型光刻胶:AZ MIR-701和AZ MIR-703
    7、AZ MIR900 系列厚膜高解像度高感光度I线正型光刻胶:AZ MIR-900和AZ MIR-950
    8、AZ DX3200P 系列应用于通孔图形的KrF正型光刻胶:AZ DX3200P
    9、AZ DX5200P 系列应用于沟槽及通孔图形的超高分辨率KrF正型光刻胶:AZ DX2546P和AZ DX5200P
    10、AZ P4000 系列超厚膜高感光度G线标准正型光刻胶AZ P4210 、AZ P4330、AZ P4400、AZ P4620 和AZ P4903
    11、AZ 10XT 系列光
    • 进口SU-8光刻胶系列,克服了普通光刻胶采用UV光刻深宽比不足的问题,在近紫外光(360nm-400nm)范围内光吸收度很低,且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致,可得到具有侧壁和高深宽比的厚膜图形。

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    • SU-8光刻胶光刻工艺

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    • 将SU-8光刻胶组分旋涂在基材上,旋涂厚度几至几百微米,涂覆晶圆片经过前烘并冷却至室温,在烘干过程中,优先选择加热均匀且温度控制

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    • 精确的加热板;不能使用鼓风干燥箱,防止因为光刻胶表面优先固话从而阻止内层光刻胶溶剂的挥发,冷却后,将负光掩模与涂覆晶片接触并在汞灯的

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    • 紫外辐射剂量10-250mJ/cm²条件下进行曝光,曝光结束后,选择适合的烘烤温度及时间,将晶片在显影液中浸渍显影,随后用氮气吹干。

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    • SU-8光刻胶的优点

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    • 1. SU-8光刻胶在近紫外光(356nm-400nm)范围内光吸收度很低,且整个光刻胶       层所获得的曝光量均匀一致,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形

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    • 2. SU-8光刻胶具有良好的力学性能,抗化学腐蚀性和热稳定性

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    • 3. SU-8光刻胶在受到紫外辐射后发生交联,是一种化学扩大负性胶,可以形成台阶等结构复杂的图形

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    刻胶应用于电镀工艺的超厚膜,高分辨率I线正型光刻胶:AZ 10XT(220cP)和10XT(520cP)
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