- KRi 射频离子源 RFICP 系列RFICP 40
详细信息
型号:RFICP 40 加工定制:否
射频离子源 RFICP 系列应用:
离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)Discharge 阳极
RF 射频
RF 射频
RF 射频
RF 射频
RF 射频
离子束流
>100 mA
>350 mA
>600 mA
>800 mA
>1500 mA
离子动能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
栅极直径
4 cm Φ
10 cm Φ
14 cm Φ
22 cm Φ
38 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
长度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直径
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
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