• KRi 射频离子源 RFICP 系列RFICP 40

    详细信息

     型号:RFICP 40  加工定制:否   

    射频离子源 RFICP 系列应用:
    离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
    离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
    表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
    离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)

    Discharge 阳极

    RF 射频

    RF 射频

    RF 射频

    RF 射频

    RF 射频

    离子束流

    >100 mA

    >350 mA

    >600 mA

    >800 mA

    >1500 mA

    离子动能

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    栅极直径

    4 cm Φ

    10 cm Φ

    14 cm Φ

    22 cm Φ

    38 cm Φ

    离子束

    聚焦, 平行, 散射

     

    流量

    3-10 sccm

    5-30 sccm

    5-30 sccm

    10-40 sccm

    15-50 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    长度

    12.7 cm

    23.5 cm

    24.6 cm

    30 cm

    39 cm

    直径

    13.5 cm

    19.1 cm

    24.6 cm

    41 cm

    59 cm

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