- 基片 |绝缘硅片SOI金刚石晶圆
详细信息
加工定制:否 型号:金刚石晶圆 刻蚀方式:HG 产地 品名 产品介绍 应用领域 ADT 美国 金刚石晶圆
洁净度:没有污点或颗粒裸眼可见。
UNCD晶圆直径选择: 100 mm、
150mm、200mm、300mm可选。
UNCD金刚石可在任意大小的基片上
沉积,*大为300 mm
半导体器件、MEMS、纳米压印
科研仪器设备整体金刚石镀膜
新型表面材料如超级疏水表面或
生物相容性表面3D金刚石探针
和场发射结构制备
高选择性及高电压范围
电化学传感器和电极
通过金刚石的高级性能
用于器件晶圆级工艺的平金刚石薄膜UNCD
边缘排除区域:5 mm
厚度:目标厚度±20%
厚度均匀性:<10%
电学性能:绝缘金刚石(Aqua系列);
≤0.1 ohm-cm
金刚石-硅DoSi
UNCD晶圆包含直接沉积在硅片上的金刚石 金刚石-绝缘硅DOI
UNCD金刚石-绝缘硅晶圆包含在整片
硅片正反两面的1μm热沉积硅氧化合物 -
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