• Micro Resist紫外正性光刻胶ma-N 400

    详细信息

     型号:ma-N 400    
    美国  NP9–250P i线曝光用粘度增强负胶系列

     

     

    在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮(Polyioprene-Bisazide)的负胶。


     

     

     

    在湿刻和电镀应用时超强的粘附力;很容易用去胶液去除。     单次旋涂厚度范围如下:﹤0.1~200 μm可在i、g以及h-line波长曝光

     

    避免了基于有机溶剂的显影和冲洗过优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异线宽 任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁
    单次旋涂即可获得200 μm胶厚
    厚胶同样可得到优越的分辨率
    150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间
    优异的感光度进而增加曝光通量
    更快的显影,100 μm的光刻胶显影仅需6 ~ 8分钟光刻胶曝光时不会出现气泡
    可将一种显影液同时应用于负胶和正胶
    不必使用增粘剂如HMDS
     
    NP9–1000P
    NP9–1500P
    NP9–3000P
    NP9–6000P
    NP9–8000
    NP9–8000P
    NP9–20000P
    NP9G–250P g和h线曝光用粘度增强负胶系列
    NP9G–1000P
    NP9G–1500P
    NP9G–3000P
    NP9G–6000P
    NP9G–8000
    Micro Resist 德国 ma-N 400 宽带或i线曝光 0.5 ~ 20 μm胶厚


    非常适合作为刻蚀掩模,极好的抗干刻、湿刻性能;优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力;优异的电镀性能(酸和碱性镀液中极高的稳定性);光刻胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;

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