• 进口单层Lift-off负性光刻胶 CJ2245

    详细信息

     品牌:进口  型号:CJ2245   
    厦门光刻胶   美国光刻胶
    1. 显影后形成‌倒梯形剖面‌(Undercut结构),便于金属剥离。
    2. 高分辨率‌:支持≤1.0μm线宽(电子束曝光下可达0.5μm)。
    3. 工艺宽容度‌:
      • 曝光剂量范围宽(9-15 mJ/cm²),降低过曝/欠曝风险。

    典型应用场景

    • MEMS器件‌:微电极、悬臂梁结构
    • 半导体‌:GaAs射频器件、HBT晶体管电极
    • 光学元件‌:纳米光栅、波导结构
      • 90-100°C/90s(避免过热导致交联过度)
      • 曝光量‌:80-120mJ/cm²(需根据膜厚校准)
      • 显影‌:浸泡式显影60-90s(喷淋易导致图形坍塌)
    1. 替代方案‌:

      • 若需更高分辨率:推荐 ‌TOK NR9-3000PY‌(负胶,分辨率≤1.5μm)
      • 低成本选择:‌Suzhou Crystal Clear CR-N200‌(国产,价格低20%)
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