- 进口单层Lift-off负性光刻胶 CJ2245
详细信息
品牌:进口 型号:CJ2245 - 显影后形成倒梯形剖面(Undercut结构),便于金属剥离。
- 高分辨率:支持≤1.0μm线宽(电子束曝光下可达0.5μm)。
- 工艺宽容度:
- 曝光剂量范围宽(9-15 mJ/cm²),降低过曝/欠曝风险。
典型应用场景
- MEMS器件:微电极、悬臂梁结构
- 半导体:GaAs射频器件、HBT晶体管电极
- 光学元件:纳米光栅、波导结构
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- 90-100°C/90s(避免过热导致交联过度)
- 曝光量:80-120mJ/cm²(需根据膜厚校准)
- 显影:浸泡式显影60-90s(喷淋易导致图形坍塌)
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替代方案:
- 若需更高分辨率:推荐 TOK NR9-3000PY(负胶,分辨率≤1.5μm)
- 低成本选择:Suzhou Crystal Clear CR-N200(国产,价格低20%)