• 进口Lift off光刻胶ma-N 400系列

    详细信息

     品牌:进口  型号:ma-N 400系列   
    厦门光刻胶    美国光刻胶
    • 对紫外光(UV)敏感,适用于i-line(365nm)曝光
    • 化学类型‌:负性光刻胶,采用化学放大技术
    • 工艺兼容性‌:专为lift-off工艺优化,可实现高精度图形转移
    • 耐刻蚀性‌:具有良好的耐等离子刻蚀性能
    • 厚度范围‌:可通过旋涂工艺实现0.5-6μm的膜厚控制‌23

    技术参数

    参数类别 具体指标 数值范围
    光敏波长 曝光光源 i-line(365nm)
    光刻胶类型 化学性质 负性光刻胶
    工艺类型 适用工艺 lift-off工艺
    膜厚范围 旋涂厚度 0.5-6μm
    分辨率 *小特征尺寸 未明确指定
    对比度 显影特性 高对比度
    耐刻蚀性 等离子刻蚀 良好耐性

     

    1. 微电子制造‌:

      • 用于制作金属电极和互连线路
      • 适用于MEMS器件的图形转移工艺
    2. 纳米加工‌:

      • 用于制备纳米结构器件
      • 适用于高精度图案化需求的应用
    3. 科研领域‌:

      • 高校和研究所的微纳加工实验
      • 新型器件原型开发‌
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