- 进口HSQ系列电子束光刻胶XR-1541-006
详细信息
品牌:进口 型号:XR-1541-006 - 分辨率:支持6纳米级别的图形定义,适用于无掩模电子束光刻技术
- 厚度范围:通过旋涂工艺可形成30-180纳米的薄膜,定制配方可调整厚度
- 显影特性:负性光刻胶,使用水基显影剂,边线定义精度达3.3纳米
- 前烘:需在电子束曝光前进行前烘处理,以提高灵敏度和对比度(具体温度和时间未明确)
- 显影液:通常使用高浓度TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液,浓度影响显影速度和侧壁陡直度
- 去胶:曝光后形成非晶态SiO2,需用BHF(氢氟酸)去除,对衬底材料有限制
- 半导体制造:用于32纳米及以下节点的直写光刻工艺,支持高精度图案转移
- 科研领域:适用于量子器件、纳米光子学等前沿研究,如制作超材料吸收层或等离激元天线