美国银胶 美国汉克进口led导电银胶84-1 LMISR4

Ablebond^®84-1 LMISR4导电银胶适用于全自动机器高速点胶。Ablebond^®84-1 LMISR4导电银胶允许*少量胶分配，并降低停留时间，而无残胶或拉丝的烦恼。

其特有的胶特性组合，使得Ablebond^®84-1 LMISR4导电银胶成为半导体行业*为广泛的用胶之一。

未固化特性 

检测说明 

检测方法 

密度                                            3.5g/cc

填充剂                                       银

粘性@ 25℃                                 8000cps

触变指数                                     5.6

使用寿命@ 25℃                          18小时

保存时间@ -40℃                         1年

比重瓶

BrookfieldCP51@5rpm

粘性@0.5/粘性@5rpm

%填充剂物理使用寿命

PT-1

PT-42

PT-61

PT-12

PT-13

固化处理数据 

建议固化条件                                     1小时@ 175℃

或者^（1）                                                                                          3-5℃/分升温到175℃+1小时@175℃

这种升温固化降低结合面温度，让溶剂挥发并增加强度。

固化重量损失                               5.3%

载玻片上10×10mm硅芯片

PT-80

固化后机械特性 

检测说明 

检测
方法 

芯片剪切强度@25℃   19kg/die

芯片剪切强度和温度

@25℃          @200℃         @250℃

21kg/die         2.9kg/die        1.7kg/die

11kg/die         2.6kg/die        1.4kg/die

27kg/die         2.4kg/die        2.0kg/die

85℃/85% RH曝光168小时以后芯片剪切强度

@25℃          @200℃

12kg/die         1.8kg/die

10kg/die         2.5kg/die

23kg/die         1.8kg/die

芯片热变形@25℃与芯片大小

芯片尺寸                                       热变形 

7.6×7.6mm（300×300mil）             19mm

10.2×10.2mm（400×400mil）          32mm

12.7×12.7mm（500×500mil）          51mm

碎片热变形与固化后电热处理²

固化后           +丝焊                   +铸型烘焙后

        （1分钟@250℃）（4小时@175℃）

20mm              29mm                     28mm

22mm              30mm                     28mm

数据由改变升温处理条件获得。

2×2mm（80×80mil）硅芯片

3×3mm（120×120mil）硅芯片

基材  

银/铜引线框架

裸铜引线框架

钯/镍/铜引线框架

3×3mm（120×120mil）硅芯片

基材

银/铜引线框架

裸铜引线框架

钯/镍/铜引线框架

0.38 mm（15mil）厚的硅芯片

在0.2mm厚的银/铜引线框架上

7.6×7.6×0.38mm（300×300×15mil）硅芯片

 在0.2mm（8 mil）厚的LF上

基材

银/铜引线框架

裸铜引线框架

MT-4

MT-4

MT-4

MT-15

MT-15